Печать

ОТФ-технология

В сравнении с существующими собственная ОТФ-технология роста кристаллов дает следующие решающие преимущества:

высокое качество и однородность кристалла по всем направлениям независимо от диаметра --->  выход до 90% годных

скорость роста до 5мм\час   ---> на порядок большая производительность

возможность роста неограниченно больших диаметров ---> новые возможности промышленности

Итогом получаем высококачественные кристаллы при значительно более низкой себестоимости. Технология запатентована и надежно защищена know-how.


 

 Schematic diagram for growing crystals by the AHP-method and own engineered and made pilot growth set-up:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Specific features of AHP crystallization:

1.      Maintaining constant during the whole growth run all crystallization conditions: growth rates, temperature gradients, melt overheating, melt flow velocity, v.

2.      Laminar melt flow (v=10-5–10-1 cm /sec).

3.      Flat melt-crystal interface.

4.      Absence of striations.

5.      Control of longitudinal distribution of composition (melt feeding procedure is realized at keff =1)

6.      Control of lateral distribution of composition.

7.      Quantitative description of heat and mass transfer processes.

  

Single crystals of Ge, CdZnTe, GaSb and GaInSb have been successfully grown using AHP-technology.

Quality and structure of grown crystals confirmed theoretical expectations.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Comparison between numerically calculated and experimentally measured longitudinal distribution of Te in GaSb [3]

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Lateral distribution of Sb in germanium

 

 

 

 

 

 

 

 

Lateral distribution of composition of AHP GaInSb crystal

Copyright © 2008-2015 CrystalsNord
http://www.crystalsnord.ru/
Thursday 22nd of August 2019